【导读】对于快恢复二极管来说，大家也许较为陌生。简单地讲，这个快恢复二极管的简称是FRD，它是具有良好的开关、还具有极短的反向恢复时间的半导体二极管。它的作用是什么呢?它主要在开关电源还有PWM脉宽调制器等相关的电子电路里面应用。我们知道，对于高频的整流二极管来说，还有续流二极管，以及阻尼二极管都会应用这个零件。
快恢复二极管简介
对于这个快恢复二极管来说，它的内部所具有的结构跟普通的PN结二极管是有着不同的区别的。这个快恢复二极管是PIN结型的二极管类型，也就是说在P型的硅材料跟N型的硅材料里面，增加了一个基区I，这样就构成了PIN硅片。由于基区是相对比较薄的，所以相应的反向恢复的电荷还是相对较小的。我们从上面的介绍知道，快恢复二极管具有很短的反向恢复时间，它的正向压降还是比较低的，相应的反向击穿电压还是比较高的。
快恢复二极管参数
我们先来看下面的一个表，这个表里面介绍了快恢复二极管的相关详细的参数。
型号品牌额定电流额定电压反向恢复时间封装极性IN5817GJ1A20V10ns---IN5819GJ1A40V10ns---IN5819MOT1A40V10ns---8TQ080IR8A80V10ns单管MBR1545CTMOT15A45V10ns双管快恢复二极管分类
从分类上我们知道一般的利用TO–220还有TO–3P封装的一些大功率的相应的快恢复二极管，可以分为两种，它们是单管还有双管。对于双管相应的管脚来说，相应的引出方式可以划分为共阳还有共阴这两个。
快恢复二极管注意事项
1)对于有些单管来说共三个引脚，其中中间的是空脚所以在出厂的时候一般会剪掉。
2)如果对管里面有一个管子出现损坏，那么这个件可以当成单管继续使用。
3)当我们测正向导通压降的时候一定需要用R×1档。如果使用R×1k档的时候，就会由于测试电流相对较小而影响测量VF值。因此这点应该注意。
区别
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode)，具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒)，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
这两种管子通常用于开关电源。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒!
前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
通常，5~20A的快恢复二极管采用TO-220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO-3P塑料封装，5A一下的快恢复二极管则采用DO-41，DO-15，或D0-27等规格塑料封装。
以上就是有关快恢复二极管的内容，希望能对大家有所帮助！
